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场效应晶体管gydF4y2Ba

实现MOSFET模型gydF4y2Ba

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  • 模拟/电气/专业电力系统/电力电子gydF4y2Ba

描述gydF4y2Ba

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种由栅极信号(g > 0)控制的半导体器件。MOSFET器件与一个内部二极管并联连接，当MOSFET器件反向偏置(Vds < 0)且没有栅极信号(g=0)时二极管开启。该模型由一个逻辑信号(g > 0或g =0)控制的理想开关模拟，二极管并联。gydF4y2Ba

无论漏源极电压是正的还是负的，当正向信号加到栅极输入端(g > 0)时，MOSFET器件就会打开。如果在栅极输入端(g=0)不加信号，只有当电压超过正向电压Vf时，内部二极管才导通。gydF4y2Ba

当一个正或负电流流过器件时，当栅极输入变为0时，MOSFET关闭。如果电流I是负的并且在内部二极管中流动(没有门信号或g = 0)，当电流I变为0时开关关闭。gydF4y2Ba

开状态电压Vds变化:gydF4y2Ba

  • Vds = Ron*I当一个正信号应用于门输入。gydF4y2Ba

  • 反平行二极管导电时(无门信号)Vds = Rd*I-Vf +Lon*dI/dt。gydF4y2Ba

Lon二极管电感仅与连续模型可用。对于大多数应用程序，无论是连续模型还是离散模型，Lon都应该设置为零。gydF4y2Ba

MOSFET块还包含一个串联的Rs-Cs缓冲电路，可以与MOSFET并行连接(在节点d和s之间)。gydF4y2Ba

假设和限制gydF4y2Ba

该MOSFET块实现了真实MOSFET器件的宏模型。它既不考虑器件的几何形状，也不考虑复杂的物理过程。gydF4y2Ba

根据电感Lon的值，MOSFET被建模为电流源(Lon > 0)或可变拓扑电路(Lon = 0)。MOSFET块不能与电感器、电流源或开路串联，除非使用了缓冲电路。gydF4y2Ba

如果你选择离散化你的电路，电感Lon被迫为0。gydF4y2Ba

港口gydF4y2Ba

输入gydF4y2Ba

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Simulink信号控制MOSFET的打开和关闭。gydF4y2Ba

输出gydF4y2Ba

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Simulink输出的块是一个包含2个信号的矢量。您可以使用Simulink库中提供的总线选择器块来分解这些信号。gydF4y2Ba

信号gydF4y2Ba

定义gydF4y2Ba

单位gydF4y2Ba

1gydF4y2Ba

MOSFET电流gydF4y2Ba

一个gydF4y2Ba

2gydF4y2Ba

场效应晶体管电压gydF4y2Ba

VgydF4y2Ba

保护gydF4y2Ba

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与排水管相关的专用电气保护端口。gydF4y2Ba

与电源相关联的专用电保护端口。gydF4y2Ba

参数gydF4y2Ba

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内阻Ron，单位欧姆(Ω)。默认是gydF4y2Ba0．1gydF4y2Ba．的gydF4y2Ba电阻RongydF4y2Ba参数不能设置为gydF4y2Ba0gydF4y2Ba当gydF4y2Ba电感朗gydF4y2Ba参数设置为gydF4y2Ba0gydF4y2Ba．gydF4y2Ba

内电感Lon，单位为亨利(H)。默认值为gydF4y2Ba0gydF4y2Ba．的gydF4y2Ba电感朗gydF4y2Ba参数通常设置为gydF4y2Ba0gydF4y2Ba除非gydF4y2Ba电阻RongydF4y2Ba参数设置为gydF4y2Ba0gydF4y2Ba．gydF4y2Ba

内部二极管的内阻，单位为欧姆(Ω)。默认是gydF4y2Ba0.01gydF4y2Ba．gydF4y2Ba

内部二极管的正向电压，单位为伏特(V)。默认值为gydF4y2Ba0gydF4y2Ba．gydF4y2Ba

你可以指定在MOSFET器件中流动的初始电流。通常设置为gydF4y2Ba0gydF4y2Ba为了启动模拟，设备被阻塞。默认是gydF4y2Ba0gydF4y2Ba．gydF4y2Ba

如果gydF4y2Ba初始电流ICgydF4y2Ba参数设置为大于gydF4y2Ba0gydF4y2Ba时，稳态计算时考虑MOSFET的初始状态为闭合。对电力电子变换器的所有状态进行初始化是一项复杂的任务。因此，该选项仅适用于简单电路。gydF4y2Ba

缓冲器电阻，单位:欧姆(Ω)。默认是gydF4y2Ba1 e5gydF4y2Ba．设置gydF4y2Ba缓冲电阻RsgydF4y2Ba参数gydF4y2Ba正gydF4y2Ba从模型中消除缓冲器。gydF4y2Ba

缓冲电容，单位为法拉(F)。默认为gydF4y2Ba正gydF4y2Ba．设置gydF4y2Ba缓冲电容CsgydF4y2Ba参数gydF4y2Ba0gydF4y2Ba消除怠惰，消除怠惰gydF4y2Ba正gydF4y2Ba为了得到一个电阻缓冲器。gydF4y2Ba

如果选中，向块中添加一个Simulink输出，返回MOSFET电流和电压。选中“Default”。gydF4y2Ba

参考文献gydF4y2Ba

[1]莫汉，N. T.M.安德兰和W.P.罗宾斯，gydF4y2Ba电力电子:转换器，应用和设计gydF4y2Ba，约翰·威利父子公司，纽约，1995年。gydF4y2Ba

扩展功能gydF4y2Ba

C/ c++代码生成gydF4y2Ba
使用Simulink®Coder™生成C和c++代码。gydF4y2Ba

版本历史gydF4y2Ba

R2006a之前介绍gydF4y2Ba

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